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英特爾修改了位於利金縣新奧爾巴尼的俄亥俄一號半導體製造工廠的建設時間表，將其投產時間推遲到下一個十年。第一階段（Mod 1）現在將於 2030 年完工，生產將於 2030 年至 2031 年開始。Mod 2 將於 2031 年完工，運營將於 2032 年開始。該公司正在放慢工廠的建設速度，以使其投資與市場狀況保持一致。不過，英特爾強調，如果需要，它可以加快建設速度。

英特爾最初計劃在 2025 年完成其俄亥俄州工廠（曾被稱為矽穀中心）的第一期工程。然而，在需求不確定的情況下，大規模投資使得英特爾將首個模塊的完工時間推遲到 2027 年或 2028 年。現在，該公司認為，隻有在 2030 年及以後才需要位於俄亥俄州的晶圓廠。這一推遲表明，它預計其產能需求不會在短期內暴漲，這可能不是一個積極的發展。另一方麵，英特爾現在也不必在其俄亥俄州工廠進行大量投資，這對該公司的資產負債表來說是個好消息，因為它正在努力恢複盈利能力。生產設備的投資是半導體製造設施中最重要的投資，因此通過推遲生產設備投資，英特爾大幅削減了 2025 年至 2028 年期間的資本支出。

即將建成的園區占地約 1,000 英畝（4 平方公裏），可容納多達 8 座半導體製造廠，並為支持運營和行業合作夥伴提供空間。英特爾此前估計，全麵開發該園區需要投資約 1,000 億美元。首輪投資定為約 280 億美元。

考慮到 Ohio One（或 Silicon Heartland？）工廠的新計劃，預計新工廠將使用該公司在14A 和 14A-E 之後開發的工藝技術，目前定於 2026 年至 2027 年推出。這些節點將依賴於 ASML 的 Twinscan EXE:5200 或更先進的高 NA EUV 工具，每台成本為 3.5 億美元。

英特爾執行副總裁、首席全球運營官兼代工製造總經理納加ⷩŒ⥾𗦋‰塞卡蘭 (Naga Chandrasekaran) 在給員工的一封信中寫道：“我們采取了審慎的做法，確保以財務上負責任的方式完成項目，為俄亥俄一號未來的成功奠定基礎。”“我們將繼續以較慢的速度進行建設，同時保持靈活性，以加快工作速度並根據客戶需求開始運營，但我希望坦率透明地向大家介紹我們目前的計劃。”

英特爾於 2022 年開始在該工廠工作。從那時起，工廠的建設取得了重大進展。該項目最近取得了裏程碑式的進展，地下基礎已經完工，地上建設已經開始。據英特爾稱，自開工以來，該工廠已接受 36 次超載（截至 2 月 4 日），其中包括 4 次超大型超載，其中包含晶圓廠的空氣分離裝置。已投入超過 640 萬工時，涵蓋地下管道、200,000 多立方碼的混凝土和次級公用設施溝槽 (SUT) 等關鍵設施。辦公樓結構也正在成型。

關於俄亥俄州工廠的一個有趣之處是，盡管時間表有所調整，但招聘工作已經開始，俄亥俄州員工在當地工廠投入使用之前在亞利桑那州、新墨西哥州和俄勒岡州接受培訓。據推測，英特爾正在培訓員工安裝生產工具和其他機器。隨著運營日期的臨近，勞動力計劃將擴大。

參考鏈接

https://www.tomshardware.com/tech-industry/intel-delays-usd100-billion-ohio-site-to-next-decade-first-fab-now-coming-online-in-2030

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